Actualment, les làmpades d'estalvi d'energia i els transistors especials de balast electrònic introduïts per la indústria presten molta atenció al control del temps d'emmagatzematge. Com que el temps d'emmagatzematge ts és massa llarg, la freqüència d'oscil·lació del circuit baixarà i l'augment del corrent de treball de tota la màquina provocarà fàcilment el dany del triode. Tot i que la inductància de la bobina d'asfixia i altres paràmetres dels components es poden ajustar per controlar la potència de tota la màquina, la naturalesa discreta farà que la consistència del producte sigui deficient i la fiabilitat reduïda. Per exemple, en un circuit de transformador electrònic de làmpada de quars, un transistor amb un temps d'emmagatzematge massa llarg pot fer que el circuit oscil·li a una freqüència inferior al límit de funcionament del transformador de sortida, donant lloc a la saturació del nucli al final de cada cicle. , que fa que el transistor Ic aparegui en cada cicle Spikes i, finalment, provoqui un sobreescalfament i danys al dispositiu.
Si el temps d'emmagatzematge dels dos transistors a la mateixa línia és massa diferent, les ones de la meitat superior i inferior del corrent de treball de tota la màquina seran molt asimètriques, el transistor de gran resistència es farà malbé fàcilment i la línia també es farà malbé. produir més harmònics i interferències electromagnètiques.
L'ús pràctic demostra que un control estricte del temps d'emmagatzematge i un ajust adequat del circuit complet poden reduir el grau de dependència dels paràmetres hFE. També val la pena esmentar que sota la condició d'una àrea de xip determinada, les característiques del triode, les característiques actuals i els paràmetres de tensió de resistència són contradictòries. El mercat xinès va utilitzar BUT11A com a balast electrònic de 220V40W. El punt de partida és que els valors de BVceo i BVcbo són alts. Tanmateix, a la majoria de circuits de balast electrònic, ja no cal seleccionar els paràmetres de tensió dels transistors massa alts.
